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Diseño de un amplificador valvular con control inalámbrico
| dc.creator | Bailos Aguirre, Diego | es_ES |
| dc.date.accessioned | 2018-09-18T12:32:50Z | |
| dc.date.available | 2018-09-18T12:32:50Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/2454/30690 | |
| dc.description.abstract | La válvula termoiónica posibilitó el desarrollo de la electrónica y las comunicaciones en la primera mitad del siglo XX. La mayoría de las válvulas electrónicas están basadas en la propiedad que tienen los metales en caliente de liberar electrones desde su superficie (Efecto Edison). [1] En la actualidad, este componente ha quedado completamente en desuso siendo sustituido por transistores de silicio mucho más pequeños, eficientes y sencillos de utilizar. A diferencia de las válvulas, el transistor se compone de varios substratos de material semiconductor dopado con cargas positivas o negativas que permiten su fabricación en tamaños muy reducidos. | es_ES |
| dc.format.mimetype | application/pdf | en |
| dc.language.iso | spa | en |
| dc.title | Diseño de un amplificador valvular con control inalámbrico | es_ES |
| dc.type | Trabajo Fin de Grado/Gradu Amaierako Lana | es |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | en |
| dc.date.updated | 2018-09-14T07:48:36Z | |
| dc.contributor.affiliation | Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales y de Telecomunicación | es_ES |
| dc.contributor.affiliation | Telekomunikazio eta Industria Ingeniarien Goi Mailako Eskola Teknikoa | eu |
| dc.description.degree | Graduado o Graduada en Ingeniería Eléctrica y Electrónica por la Universidad Pública de Navarra | es_ES |
| dc.description.degree | Ingeniaritza Elektriko eta Elektronikoko Graduatua Nafarroako Unibertsitate Publikoan | eu |
| dc.rights.accessRights | Acceso abierto / Sarbide irekia | es |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.contributor.advisorTFE | Goicoechea Fernández, Javier | es_ES |
