Caracterización e identificación de la planta horno de vacío y bombardeo iónico para procesos de implantación iónica por inmersión en plasma (PIII) y propuesta de estructura de control

El uso de la Implantación iónica como método para introducir/dopar átomos dentro de un material mediante el bombardeo con iones acelerados es utilizado habitualmente en algunos sectores industriales. Sin embargo, cuando la energía utilizada para acelerar los iones no es suficiente para conseguir alojarlos a la profundidad deseada en el material, debemos favorecer su penetración mediante la difusión térmica. Es decir, debemos aumentar la temperatura que el propio bombardeo ocasiona en la muestra, mediante la aplicación de calor con un horno en vacío donde las condiciones del bombardeo iónico pueden ser cambiantes y por tanto su contribución a la temperatura final. Este es el caso de la técnica denominada Implantación Iónica por inmersión en plasma (PIII) donde la energía de aceleración es menor a 30KeV. El objetivo a largo plazo consiste en mantener constante la temperatura seleccionada de la muestra sometida a bombardeo iónico para conseguir una penetración de los iones deseada.